1.真空腔室：L400×W400×H450mm（具體尺寸以設計為準），立式方形、前、后開門結構，前開門向右推拉開（上下有導軌），方便鍍膜室與手套箱之間取、放樣品，1Cr18Ni9Ti 優質不銹鋼材質，氬弧焊接；

                        2.基片臺：可抽拉式，尺寸120×120mm，可旋轉升降；基片可加熱至300±1℃（選配），配有基片臺擋板；

                        3.真空系統：機械泵+分子泵；真空測量“兩低一高”數顯復合真空計組成；

                        4. 限真空：6.0×10-5Pa；

                        5.真空抽速：大氣～8×10-4Pa ≤ 25min；

                           6.金屬源：2-4組可選，配有擋板；

                           7.2-4組束源爐式結構，0-500度可調，配有獨立擋板；

                           8.膜厚儀：膜厚儀水冷探頭安裝在基片架上基片臺附近。膜厚儀用以實時監測鍍膜速率和終厚，精度可達±0.1A（0.01nm）,具備與電源聯鎖功能,工作時,若鍍膜達到設置厚度,可自動切斷電源,停止鍍膜；

9.控制系統：整套控制系統采用PLC+觸摸屏控制，有自動及手動兩種功能，可在觸摸屏上輸入參  數以便進行鍍膜工藝參數的摸索等；℃